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Integrated Silicon Solution INC

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深圳市

Niederspannungs-CMOS-Statik-RAM, IS61LV256AL-10TLI, Integrated Silicon Solution INC Der IS61LV256AL-10TLI ist ein sehr schneller, stromsparender statischer 8-Bit-RAM mit einer Kapazität von 32.768 Wörtern. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken ermöglicht Zugriffszeiten von maximal 8 ns. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung bei CMOS-Eingangspegeln auf 150 µW (typisch) reduziert wird. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung eines aktiven LOW Chip Enable (CE) ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Features Automatische Abschaltung, wenn der Chip nicht ausgewählt ist CMOS-Betrieb mit geringem Stromverbrauch TTL-kompatible Schnittstellenpegel Dreistufige Ausgänge

26/05/06